Comunicazione
Stato dello sviluppo di un nuovo sistema di diagnostica e tagging per fasci radioattivi basato sulla tecnologia SiC.
Martorana N.S., Acosta L., Altana C., Amato A., Cardella G., Caruso A., Cosentino L., Costa M., De Filippo E., De Luca G., De Luca S., Geraci E., Gnoffo B., Guazzoni C., Maiolino C., Pagano E.V., Passarello S., Pirrone S., Politi G., Pulvirenti S., Risitano F., Rizzo F., Russo A.D., Russotto P., Santonocito D., Trifirò A., Trimarchi M., Tudisco S., Vecchio G.
La produzione di fasci radioattivi (RIBs) di alta intensità apre interessanti prospettive sia per la fisica fondamentale sia per le applicazioni. Molte facility sono in costruzione o in upgrade per produrre RIBs di alta intensità. Tra queste l'apparato FRAISE (FRAgment In-Flight Separator), attualmente nelle fasi finali di costruzione presso i Laboratori Nazionali del Sud dell'INFN, sarà capace di fornire RIBs di intensità 103--107 pps nel regime dell'energia di Fermi, utilizzando il metodo in-flight. Al fine di effettuare studi con RIBs di alta intensità sono necessari sistemi di tagging e diagnostica resistenti alle radiazioni e che consentano di misurare tempo di volo, perdita di energia, distribuzione angolare, profilo dei fasci e identificazione isotopica, ad esempio tramite la tecnica $\Delta$E-TOF. In questo contributo si presenta lo stato di avanzamento dello sviluppo di un sistema di tagging e diagnostica basato su una matrice di diodi in SiC letti da una elettronica veloce dedicata. Il sistema è stato principalmente sviluppato per l'apparato FRAISE@LNS-INFN ma grazie alle sue potenziali prestazioni e alla sua versatilità potrà essere utilizzato anche in altre facility.