Ultimi sviluppi dei sensori UFSD per l'Endcap Timing Layer di CMS.

La mia comunicazione riguarderà gli Ultra-Fast Silicon Detectors (UFSD), una tipologia di sensori al silicio basta sulla tecnologia Low-Gain Avalanche Diode (LGAD). Questa tecnologia consiste nell'impiantare un sottile strato altamente drogato in un tradizionale sensore al silicio; ciò permette di generare all'interno del sensore una regione ad alto campo elettrico, in grado di moltiplicare le cariche primarie rilasciate per ionizzazione al passaggio di particelle. Il risultato che si ottiene è un segnale più ampio rispetto ai classici rivelatori al silicio e un miglior rapporto segnale/rumore. Grazie al loro disegno i rivelatori UFSD, con uno spessore di circa $50\ \mu$m, permettono di effettuare misure di tempo con una risoluzione temporale di alcune decine di picosecondi. Presenterò le caratteristiche dei sensori UFSD e le principali misure effettuate sulle ultime produzioni. In particolare, mostrerò l'evoluzione della risoluzione temporale al variare della radiazione ricevuta e mostrerò i test effettuati su sensori di grandi dimensioni, $\sim 4.5$ m$^{2}$, in vista del loro utilizzo per la costruzione della parte Endcap del MIP Timing Detector (MTD) per la Fase 2 del rivelatore CMS.