Prestazioni ad alto rate di prototipi di Micromegas a Small-Pad resistive.

Alviggi M. , Camerlingo M.T. , Canale V. , Della Pietra M. , Di Donato C. , Iengo P., Iodice M., Petrucci F. , Sekhniaidze G.

Comunicazione
I - Fisica nucleare e subnucleare
Aula Palazzo dell'Emiciclo - Sala Ipogea - Martedì 24 h 09:00 - 12:00
» Download abstract

La minimizzazione dell'area degli elettrodi di lettura all'O(mm${}^{2}$) e i nuovi layout di protezione dalle scariche hanno permesso di estendere l'intervallo di efficienza della tecnologia resistive Micromegas, fino a O(10 MHz/cm${}^{2}$). Si sono confrontate le prestazioni ad alto rate di prototipi con due diversi layout di protezione dalle scariche. Nel primo, PAD Patterned embedded resistor, si osservano effetti di charging-up, già significativi a rate di O(100 kHz/cm${}^{2}$). Nel successivo layout, le zone dielettriche responsabili del charging-up sono ricoperte da strati DLC. Si presentano i risultati degli studi di caratterizzazione effettuati con raggi X ad alto rate e con fasci di particelle cariche ad alta energia.

Società Italiana di Fisica - Via Saragozza 12 40123 Bologna P.IVA 00308310374 | credits